职称：副教授
邮箱:wlglily@163.com；wanglg@aqnu.edu.cn
课题组网站：https://www.x-mol.com/groups/bai_guoliang
教育经历
1997年9月—2001年6月，济南大学，应用化学专业，本科
2001年9月—2004年6月，济南大学，材料学专业，硕士
2013年9月—2017年6月，南京大学，材料科学与工程专业，博士
教学工作
1．主讲课程
《材料科学基础》、《纳米材料学》、《材料化学专业综合实验》等。
2．教学成果
（1）徐衡，王钧伟，王来国，等，化学国家级一流专业建设点，排名第三。
（2）王来国，朱海，朱凤，董晓庆，《材料科学基础》大规模在线开放课程（项目编号：2019mooc214），主持人。
（3）吴根华，张群，王来国，夏宏宇，等，国家级特色专业化学专业建设点（项目编号：TS10893），建设点秘书，排名第三。
先后于2010年、2016年、2018年、2019年、2020年获得校年度考核优秀称号，2011、2021年获得优秀共产党员荣誉称号。
科研工作
1．研究方向
①半导体光催化降解材料；②锂离子电池材料；③介电陶瓷材料。
2．科研成果
代表论文
(1)Liu LT, Wang LG*, Du J, Feng Z, Li L, Gong Y, et al. Effects of(Mg1/3Sb2/3)4+substitutions on the sintering behaviors and microwave dielectric properties of Li2Mg4Zr1−x(Mg1/3Sb2/3)xO7ceramics. J Alloys Compd2021;865:158942.SCI一区（IF：6.371）
(2) Liu L, Wang LG*, Du J, Feng Z, Wu H, Zhang X, et al. Eu3NbO7: Novel middle-dielectric constant microwave dielectric ceramic with monoclinic structure.Ceram Int2021;47:13221-6. SCI二区（IF：2.758
(3) Liu C, Wang LG*, Cao YQ, et al. Synaptic functions and a memristive mechanism on Pt/AlOx/HfOx/TiN bilayer-structure memristors.J Phys D: Appl Phys2020;53:1-11. SCI二区（IF：2.328）
(4) Liu C, Wang LG*, Qin K, Cao YQ, Zhang XJ, Wu D, et al. Impact of Metal Nanocrystal Size and Distribution on Resistive Switching Parameters of Oxide-based Resistive Random Access Memories.IEEE Trans Electron Devices2018;65:1-5.SCI二区（IF：3.048）
(5) Wang LG*, Cao ZY, Qian X, Zhu L, et al. Atomic Layer Deposited Oxide-Based Nanocomposite Structures with Embedded CoPtxNanocrystals for Resistive Random Access Memory Applications.ACS Appl Mater Interfaces2017;9(7):6634–43. SCI一区（IF：6.723）
(6) Wang LG*, Zhang W, Chen Y, Cao YQ, Li AD, Wu D. Synaptic Plasticity and Learning Behaviors Mimicked in Single Inorganic Synapses of Pt/HfOx/ZnOx/TiN Memristive System.Nanoscale Res Lett2017;12(1):65-75. SCI二区（IF：2.779）
(7) Wang LG*, Qian X, Cao YQ, Cao ZY, Fang GY, Li AD, Wu D. Excellent resistive switching properties of atomic layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3trilayer structures for non-volatile memory applications.Nanoscale Res Lett2015;10(1): 135-43. SCI二区（IF：2.524）
发明专利
（1）王来国，李爱东，方国勇，吴迪，一种阻变存储器及其制备方法，2017.12.01，中国，ZL201510099978.2
（2）李爱东，王来国，吴迪，一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法，2018.08.17，中国，ZL201610867902.4
（3）李爱东，王来国，吴迪，一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件及制备方法，2018.11.09，中国，ZL201710045259.1
