10月15日下午，化学化工学院王来国副教授在龙山校区教学楼C108作了一场题为“几种RRAM器件的ALD制备及其存储性能研究”的学术报告，学院材料化学专业部分本科生和老师参加此次报告会。
报告中，王来国从当前快闪存储器的性能已成为信息系统存储性能的瓶颈为引入点，简要介绍了国内基于阻变随机存储器(resistance random access memory, RRAM)进行的芯片设计情况。随后进一步从信息存储材料的分类及目前的研究现状出发，对RRAM结构构造、信息存储机理、研究现状、发展瓶颈进行了讲解。王来国重点介绍了利用原子层沉积技术(atomic layer deposition, ALD)制备几种纳米复合氧化物RRAM器件的方法，对这几种RRAM器件的工艺参数、微结构与存储性能之间的关系进行深入讲解，并在此基础上对最优化的器件性能的阻变机制进行了阐释。
最后，王来国指出，随着“Scaling down”日益接近传统器件结构的物理极限，以新材料、新结构、新原理器件为主要特征的“后摩尔时代”正在来临，并认为RRAM能够实现电阻性能的反复调控，是一种非常有潜力的新型高密度存储器件。（撰稿：吴琼 审核：刘志强 鲍青燕）
